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  • 不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-04-11 16:55:37
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    不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹
    SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導體相比,SiC MOSFET 使得高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作成為可能。
    但是,由于開(kāi)關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化,器件的封裝電感和周邊電路的布線(xiàn)電感影響變得無(wú)法忽視,導致漏極源極之間會(huì )有很大的電壓尖峰。這個(gè)尖峰不可以超過(guò)使用的MOSFET 的最大規格,那就必須抑制尖峰。
    Turn OFF 尖峰根據封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被廣泛采用的TO-247-3L,(b)是近幾年漸漸擴大采用的用于驅動(dòng)電路的源極端子(即所謂的開(kāi)爾文接法)的TO-247-4L。
    封裝 電壓尖峰
    4L 型與3L 型相比,改變了驅動(dòng)電路路徑,使開(kāi)關(guān)速度加快。由于這個(gè)原因,Turn ON 電壓尖峰和Turn OFF 電壓尖峰變得更大。圖10為3L 類(lèi)型和4L 類(lèi)型的Turn OFF 電壓尖峰的對比波形。
    VDS=800V、RG_EXT=3.3Ω、ID=65A 時(shí)的Turn OFF波形,漏極源極間電壓尖峰3L 類(lèi)型為957V,而4L 類(lèi)型則為1210V。
    封裝 電壓尖峰
    如上所述,橋式電路中的MOSFET 的柵極信號在MOSFET之間相互關(guān)聯(lián)、動(dòng)作,并在柵極源極之間產(chǎn)生預料之外的電壓尖峰,其抑制方法需要考慮基板的線(xiàn)路布線(xiàn),根據情況不同采取不同的對應。
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