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  • MOSFET應用,緩沖電路種類(lèi)詳解
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-04-12 15:54:37
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    MOSFET應用,緩沖電路種類(lèi)詳解
    緩沖電路的種類(lèi)
    緩沖電路分為由電阻、線(xiàn)圈和電容器等被動(dòng)部件組合的電路,和包含半導體元器件的主動(dòng)電路。
    緩沖電路 尖峰
    緩沖電路 尖峰
    緩沖電路 尖峰
    緩沖電路 尖峰
    為了更好地發(fā)揮其的效果,必須將這些緩沖電路盡可能布局在在開(kāi)關(guān)元件的附近。
    a. CSNB緩沖電路零件數目少,但必須連接到橋式結構的上部和下部之間,因此缺點(diǎn)是線(xiàn)路會(huì )變得較長(cháng),因此通常不是用分立元器件,而是多用2合1 的分立元器件模塊。
    b. RC 緩沖電路可在各開(kāi)關(guān)元件附近能布局緩沖電路,不過(guò),必須確保每次元件Turn ON 時(shí)CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。
    因此,當開(kāi)關(guān)頻率變高時(shí),RSNB 所消耗的電力可能會(huì )變?yōu)閿礧,而CSNB 很難很大,所以抑制尖峰的效果也會(huì )變得有限。此外,RSNB 的尖峰吸收能力有限,因此抑制效果也會(huì )受限。
    c. RCD 緩沖電路的RSNB 消耗的電力與(b)相同,但因為只經(jīng)由二極管吸收尖峰,比起(b)的吸收效果高、更實(shí)用。
    但是,需要注意使用的二極管的恢復特性,因為吸收尖峰時(shí)的電流變化大,需要極力減少緩沖電路的配線(xiàn)電感。另外,如果將RSNB 與CSNB 并聯(lián),在動(dòng)作上也是相同的。
    d. 非放電型RCD 緩沖電路的RSNB 只消耗CSNB 所吸收的電壓尖峰能量,CSNB 所積蓄的能量不會(huì )每次開(kāi)關(guān)都充分釋放出來(lái)。
    因此,即使開(kāi)關(guān)頻率加快,RSNB 的消耗功率也不會(huì )變得很大,可以將CSNB 增大,大幅提高電路的抑制效果。但樣線(xiàn)路布局變得復雜,如果不是4 層以上的基板,布線(xiàn)會(huì )極為困難。
    如上所述,這里介紹的緩沖電路各有長(cháng)短,需要根據電源電路結構和轉換功率容量選擇最佳的緩沖電路。
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